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收集一： 一.填空 1.集成电路的分类，按材料，工艺 2.集成电阻的计算，以及其制造工艺 3.Vtp，Vtn的正负判断，分别对于增强型和耗尽型 4.CMOS电路功耗包括哪两个部分，功耗设计主要考虑的因素 ……（还有几道不记得了） 二.填表 全定制，门阵列，FPGA各自单元模块，连线的性质…… 三.填图 CMOS工艺流程填图画图 四.问答 1.CMOS单元负载较大的电容时，只有提高W，这样会使W*L增加，相对前级又时一个大电容，如何解决这一矛盾？ 2.结合软件谈谈全定制集成电路设计流程 3.谈谈对Layout设计的看法 五.翻版图或者画版图，选一 第二卷 1.什么是格雷码？ 2.Nyquist采样定例 3.球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功 4.运算放大器1，…………2，有几级，各级之间耦合方式有几种，分析各种的优劣。 收集二：1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线） 2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。 3．说出制作N-well的工艺流程。 4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。 5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-） （责任编辑：职场达人） |
