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笔试分两部分 第一部分为技术测试，第二部分为英语 第一部分（凭记忆写吧：）） 1.简单c代码，写输出结果 2.芯片导线延时问题，比如1000um 为50ps 2000um为？ 3.画MOS管结构图 标出个部分区域如N+,N-,Channel, substrate,poly-silicon etc 4.画与非门电路和layout 5.两个D触发器和一级buffer组成同步电路给个若干时序数据比如 buffer延时，tsetup t hold 算总延时 6，两个管子串联，vdd接上管g d 和下管g ，下管s接地 上管s和下管d相连作输出vout求 vout 第二部分 写一段英文，阐述你认为从项目中学习知识重要还是从书本学习重要？ （责任编辑：职场达人） |
